Altillo.com > Exámenes > UBA - Ingeniería > Física III

1) El Cu tiene una densidad de y una resistividad de . Se deposita una película de Cu decm de espesor sobre un sustrato aislante.

a) ¿Cuál es el número de átomos de ?

b) Si hay electrones /para conducir corriente, cuál es la movilidad de los electrones en ?

c) ¿Cuál es la densidad de corriente y el campo E(V/cm) en una región de 5 cm de ancho si se aplica una diferencia de potencial de 0.1V a través de toda la longitud de la película?

2) Sea una juntura p-n con , , , tiempo de vida de los portadores minoritarios =, movilidades = y área de juntura = . Calcular para una polarización directa de 0.5V a 300K.
a) La concentración de huecos en el borde de la región de vaciamiento inyectados en la región n y de electrones inyectados en la región tipo p.
b) La longitud de difusión de los portadores minoritarios.
c) La corriente en Amp.

3) Se tiene un cristal unidimensional de 1mm de longitud con una distancia interatómica de a=1A
La banda de valencia tiene la siguiente estructura:

a) Calcule el valor de la masa efectivo de los electrones.
b) Si la banda está ocupada en un 90% ¿Cuántos estados desocupados hay?
c) ¿Cómo contribuye esta banda a la deducción?

4) Una muestra de Ge es dopada con átomos donores y con átomos aceptores. Calcular a T=300K
a) La posición de la energía de Fermi.
b) La concentración de portadores en las bandas de conducción y valencia.
c) La densidad total de corriente si se aplica un campo de I V/cm.