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Física III |
2º Parcial |
Dra. Rebollo |
16 / 08 / 2002 |
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1_a) Demostrar que los portadores en una banda
llena no contribuyen a la conducción eléctrica del semiconductor.
b) Explique cómo conviene describir a los portadores de una banda que tiene las
tres cuartas partes de sus estados ocupados.
c) Idem para una banda con un tercio de sus estados ocupados.
d) La función e (k) = 10·eV - 5·eV cos (k·4Þ ), describe la estructura de
bandas de un semiconductor. Calcular la aceleración de electrones y huecos en
el techo de la banda si se aplica un campo eléctrico E = 0.5V/cm.
2) Se tiene un semiconductor al que se le ha
generado un exceso de portadores localizado, por encima de los valores de
equilibrio térmico. Explique:
a) ¿Cómo se genera el campo interno?
b) ¿Cuáles son las hipótesis simplificadoras que se establecen para llegar a
la expresión de la ecuación ambipolar?
c) ¿Qué ocurre cuando la muestra es fuertemente extrínseca tipo n, y el
exceso generado es mucho menor que la población de mayoritarios?
3) Explique como se alcanza el equilibrio cuando se genera una juntura abrupta p-n. Calcule y grafique las corrientes debidas a electrones y huecos en función de la posición. (Recuerde que la corriente total se obtiene como la suma de las corrientes de huecos y electrones en la zona de vaciamiento).
4) Considere una juntura pn de Si con los siguientes parámetros: tn0 = tp0 = 0.1·10-6 seg, Dn = 25 cm2/seg, Dp = 10 cm2/seg. (Los datos corresponden a los portadores minoritarios en cada lado). ¿Cuál debe ser la relación Na/Nd para que el 95% de la corriente en la zona de vaciamiento sea debida a electrones?
5) Se tiene un gas ideal y un gas de
electrones en equilibrio termodinámico:
a) ¿Con qué tipo de distribuciones estadísticas es posible describir el
estado de equilibrio de dichos sistemas?
b) Represente en un mismo gráfico la distribución de partículas en función
de la energía para las distribuciones del punto anterior.
c) ¿Cómo se puede utilizar estas distribuciones para conocer la energía media
por partícula y su velocidad?
d) Comparar las distribuciones a bajas temperaturas.